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型号 SI4686DY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
SI4686DY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4686DY-T1-GE3
产品目录绘图 DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 18.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 9.5 毫欧 @ 13.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1220pF @ 15V
功率 - 最大 5.2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI4686DY-T1-GE3TR
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